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DMN2990UFZ-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2990UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2990UFZ-7B
Price: 0.41 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DMN2990UFZ-7B

N° de fab. :

DMN2990UFZ-7B

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

Fiche technique:

DMN2990UFZ-7B Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,413 €	0,41 €
	0,252 €	2,52 €
	0,16 €	16,00 €
	0,12 €	60,00 €
	0,096 €	96,00 €
	0,084 €	420,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,079 €	790,00 €
	0,073 €	1.460,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	X2-DFN0606-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	250 mA
Rds On - Résistance drain-source:	990 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	320 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7.7 ns
Transconductance directe - min.:	180 mS
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.1 ns
Série:	DMN2990
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	3.5 ns
Poids de l''unité:	1 mg

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Fiche technique

DMN2990UFZ-7B Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.