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DIW120SIC022-AQ

Name: Diotec Semiconductor DIW120SIC022-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW120SIC022-AQ
Price: 58.08 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

637-DIW120SIC022-AQ

N° de fab. :

DIW120SIC022-AQ

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

DIW120SIC022-AQ Fiche technique (PDF)

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510	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	22.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	269 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	340 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DIW120SIC022-AQ
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	35 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	38 ns
Série:	SIC120
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	108 ns
Délai d'activation standard:	150 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.