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DF2B5M4ASL,L3F

Name: Toshiba DF2B5M4ASL,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-DF2B5M4ASLL3F
Price: 0.19 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-DF2B5M4ASLL3F

N° de fab. :

DF2B5M4ASL,L3F

Fab. :

Toshiba

Description :

Diodes de protection ESD / diodes TVS Bi-Dir ESD 2A; 3.6V SOD-962 (SL2)

Fiche technique:

DF2B5M4ASL,L3F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,198 €	0,20 €
	0,13 €	1,30 €
	0,058 €	5,80 €
	0,054 €	27,00 €
	0,05 €	50,00 €
	0,049 €	245,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,046 €	460,00 €
	0,042 €	840,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	Diodes de protection ESD / diodes TVS
RoHS:
Polarité:	Bidirectional
Nombre de canaux:	1 Channel
Tension de service:	3.6 V
Style du raccordement:	SMD/SMT
Blocage de la tension:	20 V
Tension de rupture:	5 V
Package/Boîte:	SOD-962-2
Ipp - courant d'impulsion de crête:	2 A
Pppm - Dissipation d’énergie d’impulsion de crête:	30 W
Cd - Capacité de la diode:	0.15 pF
Vesd - Tension ESD par contact:	16 kV
Vesd - Tension ESD par décharge dans l'air:	16 kV
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Tension d'alimentation de fonctionnement:	3.6 V
Produit:	ESD Suppressors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Poids de l''unité:	0,200 mg

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Fiche technique

DF2B5M4ASL,L3F Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

Diodes de protection ESD DF2Bx

Les diodes de Protection ESD DF2Bx Toshiba sont conçues pour protéger les dispositifs à semi-conducteurs utilisés dans les interfaces de dispositifs mobiles et autres applications contre l’électricité statique et le bruit. Ces diodes utilisent des caractéristiques de retour pour fournir une faible résistance dynamique et des performances de protection supérieures. Les diodes de protection ESD DF2Bx sont adaptées à une utilisation avec une ligne de signal de 3,3 V/5 V. Ces diodes sont fournies dans un boîtier compact qui est adapté à une utilisation dans les configurations de cartes à haute densité telles que sur les appareils mobiles. Les applications standard comprennent les smartphones, les tablettes, les ordinateurs portables et les ordinateurs de bureau.

Diodes de protection DES DF2BxM4ASL

Les diodes de protection DES DF2BxM4ASL de Toshiba protègent les dispositifs à semiconducteurs tels que les interfaces de dispositifs mobiles et d'autres applications de l'électricité statique et du bruit. Ces diodes de protection DES utilisent des caractéristiques de retour et fournissent une faible résistance dynamique et des performances de protection supérieures. Les diodes DF2BxM4ASL optimisent l'application de signal haute vitesse pour des performances de faible capacité. Ces diodes de protection DES sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Les diodes DF2BxM4ASL fonctionnent à une température de jonction de 150 °C, une puissance d'impulsion de crête de 30 W et un courant d'impulsion de crête de 2 A. Les applications standard comprennent les smartphones, les tablettes, les ordinateurs portables et les ordinateurs de bureau.

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.