Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

CG2H40045F

Name: MACOM CG2H40045F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40045F
Price: 294.15 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-CG2H40045F

N° de fab. :

CG2H40045F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt

Fiche technique:

CG2H40045F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de MACOM CG2H40045F

En stock: 640

Stock:: 640 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	294,15 €	294,15 €
	285,00 €	2.850,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440193
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Marque:	MACOM
Kit de développement:	CG2H40045F-TB
Gain:	16 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Alimentation en sortie:	45 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	40
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V
Poids de l''unité:	9,105 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

CG2H40045F Fiche technique (PDF)

PCN

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.