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CG2H40025F

Name: MACOM CG2H40025F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40025F
Price: 170.13 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

941-CG2H40025F

N° de fab. :

CG2H40025F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

Fiche technique:

CG2H40025F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440166
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Marque:	MACOM
Gain:	15 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Alimentation en sortie:	25 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	80
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V
Poids de l''unité:	10,566 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.