CDF56G6517N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDF56G6517NTR13P
CDF56G6517N TR13 PBFREE

Fab. :

Description :
FET GaN 650V, 17A, N-Channel GaN FET

Fiche technique:
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Central Semiconductor
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
17 A
140 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
113 W
Depletion
Marque: Central Semiconductor
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 4 ns
Fréquence de fonctionnement max.: 100 kHz
Fréquence de fonctionnement min.: 0 Hz
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 5 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Délai de désactivation type: 4 ns
Délai d'activation standard: 3 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

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