C3M0032120K

Wolfspeed
941-C3M0032120K
C3M0032120K

Fab. :

Description :
SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:
0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Sur commande:
444
05/06/2026 attendu
450
15/06/2026 attendu
Délai usine :
16
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
11,40 € 11,40 €
6,91 € 69,10 €
5,95 € 714,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Wolfspeed
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
32 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
118 nC
- 40 C
+ 175 C
283 W
Enhancement
Marque: Wolfspeed
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Transconductance directe - min.: 27 S
Conditionnement: Tube
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 18 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 32 ns
Délai d'activation standard: 25 ns
Poids de l''unité: 6 g
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Diodes SCHOTTKY au carbure de silicium 1 200 V

Les diodes SCHOTTKY au carbure de silicium 1 200 V de Wolfspeed intègrent la technologie SCHOTTKY à broches fusionnées (MPS) et offrent une robustesse et une fiabilité supérieures aux diodes SCHOTTKY standard. Ces diodes 1 200 V de Wolfspeed sont fournies dans divers boîtiers qui peuvent être mis en parallèle sans risque d’emballement thermique. Les diodes sont idéales pour les onduleurs solaires, les alimentations à découpage (SMPS), les alimentations sans interruption (ASI) et les convertisseurs CA/CC.

MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 1 200 V de Wolfspeed définissent la norme en termes de performances, de robustesse et de facilité de conception.  Les MOSFET de Wolfspeed disposent de capacités de commutation rapide et de faible perte de commutation, assurant une amélioration significative du rendement du système, de la densité de puissance et du coût global de nomenclature par rapport aux composants MOSFET au silicium et IGBT.

MOSFET et diodes au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET et diodes 1 200 V au carbure de silicium (SiC) de Wolfspeed créent une combinaison puissante à plus haut rendement dans les applications exigeantes. Ces MOSFET et diodes Schottky sont conçus pour être utilisés dans les applications à haute puissance. Les MOSFET au SiC de 1 200 V présentent une Rds(on) stable en cas de surchauffe et une certaine robustesse face aux d'avalanches. Ces MOSFET sont des diodes de corps robustes qui ne nécessitent pas de diodes externes et sont plus faciles à piloter car elles offrent un pilote de grille de 15 V. Les MOSFET au SiC de 1 200 V ont un rendement amélioré au niveau du système avec de moindres pertes de commutation et de conduction et une densité améliorée de puissance au niveau du système.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.