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BUK7M6R0-40HX

Name: Nexperia BUK7M6R0-40HX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK7M6R0-40HX
Price: 0.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-BUK7M6R0-40HX

N° de fab. :

BUK7M6R0-40HX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT1210 N-CH 40V 50A

Fiche technique:

BUK7M6R0-40HX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-33-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	70 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	6.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	14 ns
Délai d'activation standard:	7.7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934660784115
Poids de l''unité:	100,200 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles Trench 9 LFPAK33

Les MOSFET automobiles Trench 9 LFPAK33 Nexperia constituent un portefeuille de MOSFET 40 V AEC-Q101 à faible R_{DS (on)} pour les modules dans les applications de groupes motopropulseurs exigeants. Ces composants sont logés dans le boîtier miniature LFPAK33 avec un encombrement de seulement 10,9 mm². Les MOSFET LFPAK33 utilisent la technologie Trench 9 de Nexperia. Cela se traduit par une réduction 48 % de R_{DS (on)} par rapport aux composants précédents. Ces composants couvrent une variété d’applications allant de 30 W à 300 W. Les composants BUK7M3R3-40H et BUK9M3R3-40H (niveau standard et niveau logique) disposent d’un R_{DS (on)} de 3,3 mΩ.