BSS123_R1_00001 MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Panjit MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 9.438En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET SOT23 100V .17A N-CH N/A

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement