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BSS123W RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS123W RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS123W
Price: 0.21 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

821-BSS123W

N° de fab. :

BSS123W RFG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

BSS123W RFG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Délai usine :: 16

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,215 €	0,22 €
	0,144 €	1,44 €
	0,091 €	9,10 €
	0,057 €	28,50 €
	0,054 €	54,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,046 €	138,00 €
	0,04 €	240,00 €
	0,036 €	324,00 €
	0,033 €	792,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-323-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	160 mA
Rds On - Résistance drain-source:	5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	298 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	51 ns
Transconductance directe - min.:	0.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channe
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSS123W
Poids de l''unité:	6 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.