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BSC076N04NDATMA1

Name: Infineon BSC076N04NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC076N04NDATMA1
Price: 1.74 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-BSC076N04NDATMA1

N° de fab. :

BSC076N04NDATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET 40V

Fiche technique:

BSC076N04NDATMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,74 €	1,74 €
	1,05 €	10,50 €
	0,563 €	56,30 €
	0,523 €	261,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,523 €	2.615,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	38 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	BSC076N04
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSC076N04ND SP002594330

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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