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AG091FLD3HRBTL

Name: ROHM Semiconductor AG091FLD3HRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-AG091FLD3HRBTL
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-AG091FLD3HRBTL

N° de fab. :

AG091FLD3HRBTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 N-CH 60V 80A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

AG091FLD3HRBTL Fiche technique

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	1,31 €	13,10 €
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	0,738 €	369,00 €
	0,709 €	709,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,602 €	1.505,00 €
	0,596 €	2.980,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	76 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	18 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

Les MOSFET de puissance 40 A et 80 A automobile de ROHM Semiconductor sont des dispositifs à canal N et à canal P. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 se caractérisent par une faible résistance à l'état passant, un courant drain pulsés de ±80 A/±160 A et une dissipation d'énergie jusqu'à 142 W. Les MOSFET de puissance de 40 A et 80 A fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont testés à 100 % en avalanche. Ces MOSFET de puissance sont parfaits pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.