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NXH030P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH030P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH030P12M3F1PTG
Price: 65.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NXH030P12M3F1PTG

N° de fab. :

NXH030P120M3F1PTG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NXH030P120M3F1PTG Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	PIM-18
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	42 A
Rds On - Résistance drain-source:	38.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.4 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Série:	NXH030P120M3F1PTG
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Half-Bridge
Temps de descente:	9.4 ns
Hauteur:	12.35 mm
Longueur:	63.3 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	6.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	28
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	Half Bridge
Délai de désactivation type:	84.8 ns
Délai d'activation standard:	19.6 ns
Largeur:	34.1 mm

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Fiche technique

NXH030P120M3F1PTG Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1

Les Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1 onsemi contiennent des MOSFET au SiC M3S de 8 m Ω/ 1 200 V, de 10 mΩ/ 1 200 V, de 15 mΩ/ 1 200 V et de 30 mΩ/ 1 200 V, basés sur une topologie en demi-pont et sur une thermistance dans un boîtier F1. Ces modules se composent d'un matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans TIM pré-appliqué. Les modules NXH0xxP120M3F1 sont conçus avec des broches à insertion par pression et sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules d'alimentation sont utilisés dans les onduleurs solaires, l’alimentation industrielle, les stations de chargement de véhicules électriques (EV) et les alimentations sans interruption (ASI).