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T2G4005528-FS

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N° Mouser :

772-T2G4005528-FS

N° de fab. :

T2G4005528-FS

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Cycle de vie:

Disponibilité restreinte:

Cette référence n''est actuellement pas disponible auprès de Mouser. Le produit peut être disponible en distribution limitée ou par commande spéciale d''usine.

Fiche technique:

T2G4005528-FS Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Package/Boîte:	NI-360
Polarité du transistor:	N-Channel
Marque:	Qorvo
Gain:	16 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.5 GHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	55 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	T2G4005528
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Type:	GaN SiC HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	T2G4005528 1099993

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Fiche technique

T2G4005528-FS Fiche technique (PDF)

PCN

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.