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IMBF170R1K0M1XTMA1

Name: Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBF170R1K0M1XTM
Price: 4.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMBF170R1K0M1XTM

N° de fab. :

IMBF170R1K0M1XTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Fiche technique:

IMBF170R1K0M1XTMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,09 €	4,09 €
	2,70 €	27,00 €
	2,03 €	203,00 €
	1,84 €	920,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,52 €	1.520,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	5.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	1 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	68 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	0.42 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	11 ns
Série:	CoolSiC 1700V
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMBF170R1K0M1 SP002739692
Poids de l''unité:	1,600 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™

Les MOSFET CoolSiC™ d'Infineon s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour permettre à la fois les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité en fonctionnement. La gamme de CoolSiC discret en boîtiers TO et CMS est disponible en classes de tensions de 650 V, 1 200 V et 1 700 V, avec une résistance en marche nominale de 27 mΩ à 1 000 mΩ. La technologie de tranchée CoolSiC permet un ensemble de paramètres flexible, qui est utilisé pour la mise en œuvre de caractéristiques spécifiques aux applications dans les portefeuilles de produits respectifs. Ces caractéristiques comprennent des tensions grille-source, des spécifications d’avalanche, une capacité de court-circuit ou une diode de corps interne nominale pour commutation dure.

MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ 1 700 V

Les MOSFET à tranchée SiC 1 700 V CoolSiC™ d'Infineon disposent d’un matériau révolutionnaire au carbure de silicium optimisé pour les topologies flyback. Les MOSFET à tranchée SiC offrent une tension grille-source 12 V/0 V compatible avec la plupart des contrôleurs flyback.