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LSIC1MO120E0120

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N° Mouser :

576-LSIC1MO120E0120

N° de fab. :

LSIC1MO120E0120

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet

Cycle de vie:

Commande spéciale d''usine:

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Fiche technique:

LSIC1MO120E0120 Fiche technique (PDF)

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	27 A
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	80 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	7 ns
Série:	LSIC1MO
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	6 g