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UJ4C075023K3S

Name: onsemi UJ4C075023K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4C075023K3S
Price: 9.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UJ4C075023K3S

N° de fab. :

UJ4C075023K3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247-3

Fiche technique:

UJ4C075023K3S Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	66 A
Rds On - Résistance drain-source:	29 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	37.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	306 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC FET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	49 ns
Série:	UJ4C
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	53 ns
Délai d'activation standard:	10 ns

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Fiche technique

UJ4C075023K3S Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

FET SiC Gen 4 750 V UJ4C/SC

Les FET SiC Gen 4 UJ4C/SC de 750 V de Qorvo sont des séries hautes performances qui offrent les meilleurs chiffres de mérite de l’industrie qui réduisent les pertes de conduction et augmentent le rendement à plus haut débit, améliorant ainsi la rentabilité globale. Disponible en options de 5,4 mΩ à 60 mΩ, la série Gen 4 est basée sur une configuration en cascade unique, où un JFET SiC haute performance est co-emballé avec un Si-MOSFET optimisé en cascade pour produire un dispositif SiC pilote de grille standard. Les caractéristiques standard du pilote de grille des FET UJ4C/SC 750 V permettent une fonctionnalité de « remplacement direct ». Les Concepteurs peuvent améliorer considérablement les performances du système sans modifier la tension d’entraînement de grille en remplaçant les IGBT Si, les FET Si, les FET SiC ou les dispositifs à super-jonction Si existants par les FET UJ4C/SC de Qorvo.