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NXH80T120L2Q0S2TG

Name: onsemi NXH80T120L2Q0S2TG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH80T120L2Q0S2T
Price: 58.39 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NXH80T120L2Q0S2T

N° de fab. :

NXH80T120L2Q0S2TG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM

Fiche technique:

NXH80T120L2Q0S2TG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	Q0PACK Modules
Configuration:	Module
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.05 V
Courant collecteur continu de 25 C:	67 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	300 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	158 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Press Fit
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	24
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si

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Fiche technique

NXH80T120L2Q0S2TG Fiche technique

EOL

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules d'alimentation NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK

Les modules d'alimentation NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK d'onsemi contiennent un étage de convertisseur à trois niveaux point neutre fixé (NPC) de type−T. Les diodes à récupération rapide et les IGBT en tranchée à arrêt de champ intégrés du NXH80T120L2Q0S2/P2G d'onsemi fournissent des pertes de commutation et de conduction plus faibles, permettant aux concepteurs d’atteindre une haute efficacité et une fiabilité supérieure.