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NVMFS5C456NLWFAFT1G

Name: onsemi NVMFS5C456NLWFAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C456NLWFA1
Price: 2.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFS5C456NLWFA1

N° de fab. :

NVMFS5C456NLWFAFT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL

Fiche technique:

NVMFS5C456NLWFAFT1G Fiche technique (PDF)

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	0,74 €	370,00 €
	0,681 €	681,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	87 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	55 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	US
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	100 ns
Série:	NVMFS5C456NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	Single N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	9.3 ns
Poids de l''unité:	187 mg

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.