NVMFS5C404NET1G

onsemi
863-NVMFS5C404NET1G
NVMFS5C404NET1G

Fab. :

Description :
MOSFET T6 40V HEFET

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Modèle de ECAO:
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En stock: 1.350

Stock:
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Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,34 € 3,34 €
2,18 € 21,80 €
1,52 € 152,00 €
1,25 € 625,00 €
1,16 € 1.160,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
1,15 € 1.725,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
378 A
700 uOhms
20 V
4 V
128 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 109 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 113 ns
Série: NVMFS5C404N
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 77 ns
Délai d'activation standard: 16 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.