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NVMFS4C302NT1G

Name: onsemi NVMFS4C302NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C302NT1G
Price: 2.93 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFS4C302NT1G

N° de fab. :

NVMFS4C302NT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO

Fiche technique:

NVMFS4C302NT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,93 €	2,93 €
	1,92 €	19,20 €
	1,33 €	133,00 €
	1,15 €	575,00 €
	1,08 €	1.080,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	1,08 €	1.620,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	241 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.15 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.3 V
Qg - Charge de grille:	82 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	115 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	135 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Série:	NVMFS4C302N
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	54 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	187 mg

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Fiche technique

NVMFS4C302NT1G Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.