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NVMFS4C03NWFET1G

Name: onsemi NVMFS4C03NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C03NWFET1G
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFS4C03NWFET1G

N° de fab. :

NVMFS4C03NWFET1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFS4C03NWFET1G Fiche technique

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	0,792 €	7,92 €
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	0,412 €	206,00 €
	0,378 €	378,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,347 €	520,50 €
	0,313 €	1.408,50 €
	0,304 €	2.736,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFNW-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	159 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	45.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	77 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	32 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

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Fiche technique

NVMFS4C03NWFET1G Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS4C03NWFET1G

Le MOSFET de puissance NVMFS4C03NWFET1G monocanal d'Onsemi est un dispositif haute efficacité conçu pour des applications de gestion de l'alimentation exigeantes. Logé dans un boîtier PowerFLAT compact 5 mm x 6 mm le NVMFS4C03NWFET1G offre d'excellentes performances thermiques et un faible R_DS(on), aussi bas que 0,9 mΩ à 10 V ce qui rend le MOSFET idéal pour minimiser les pertes de conduction dans les circuits à courant élevé. Ce onsemi MOSFET prend en charge est rapide et commutation est optimisé pour une utilisation dans CC-CC convertisseurs redressement synchrone commutation de charge et contrôle de moteur applications. Une conception robuste et une cote d'énergie d'avalanche élevée rendent le NVMFS4C03NWFET1G adapté à une utilisation dans les télécommunications, les serveurs et les systèmes d'alimentation industriels où la fiabilité et l'efficacité sont essentielles. Le NVMFS4C03NWFET1G offre un équilibre de performance, de taille et de la robustesse, ce qui en fait un choix polyvalent pour l'alimentation moderne électronique.