Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NTK3134NT5G

Name: onsemi NTK3134NT5G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTK3134NT5G
Price: 0.25 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTK3134NT5G

N° de fab. :

NTK3134NT5G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 20V/6V N CH T1

Fiche technique:

NTK3134NT5G Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTK3134NT5G

En stock: 4.167

Stock:: 4.167

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 88.000

29/01/2027 attendu
Délai usine :: 31

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 8000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,258 €	0,26 €
	0,165 €	1,65 €
	0,104 €	10,40 €
	0,074 €	37,00 €
	0,058 €	58,00 €
	0,051 €	127,50 €
	0,04 €	200,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 8000)
	0,04 €	320,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-723-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	890 mA
Rds On - Résistance drain-source:	200 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	450 mV
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	550 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	TW
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	4.8 ns
Transconductance directe - min.:	1.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.8 ns
Série:	NTK3134N
Nombre de pièces de l'usine:	8000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	17.3 ns
Délai d'activation standard:	6.7 ns
Poids de l''unité:	1,275 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTK3134NT5G Fiche technique

PCN

SPICE Models

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

Les MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N d'onsemi avec protection DES sont des MOSFET robustes optimisés pour les applications de commutation à haut rendement. Intégrés dans un boîtier compact SOT-723 3 fils, les composants NTK3134N d'onsemi offrent un faible R_DS(on)de 0,20 Ω à 4,5 V, ce qui minimise les pertes de conduction et améliore les performances thermiques. Avec une tension nominale drain-source de 20 V et une capacité de courant de drain continu à l'état stable de 890 mA (maximum), les MOSFET NTK3134N sont idéaux pour une utilisation dans l'électronique portable, les convertisseurs CC-CC et les circuits de commutateur de charge. Des vitesses de commutation rapides et une faible charge de grille contribuent à une consommation d'énergie réduite et à une efficacité globale du système améliorée, ce qui fait de ces MOSFET un choix fiable pour les conceptions à espace restreint et sensibles à la puissance.