Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NTHL045N065SC1

Name: onsemi NTHL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL045N065SC1
Price: 11.73 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTHL045N065SC1

N° de fab. :

NTHL045N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Fiche technique:

NTHL045N065SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTHL045N065SC1

En stock: 1.812

Stock:: 1.812 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,73 €	11,73 €
	8,21 €	82,10 €
	6,79 €	679,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	66 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	291 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	KR
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	14 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	30 ns
Série:	NTHL045N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTHL045N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL045N065SC1

Le MOSFET au carbure de silicium (SIC) NTHL045N065SC1 d'Onsemi utilise une technologie totalement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une haute fiabilité par rapport au silicium. Ce MOSFET compact de taille puce est conçu avec une faible résistance à l’état passant et garantit une capacité et une charge de grille faibles. Le MOSFET NTHL045N065SC1 dispose d’un rendement élevé, d’une fréquence de fonctionnement plus rapide, d’une densité de puissance accrue, d’une réduction des EMI et d’une taille de système réduite. Les applications standard comprennent les alimentations à découpage (SMPS), les onduleurs solaires, les convertisseurs CC-CC, les onduleurs et le stockage d’énergie.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V

Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.