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NTH4L020N090SC1

Name: onsemi NTH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L020N090SC1
Price: 23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L020N090SC1

N° de fab. :

NTH4L020N090SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Fiche technique:

NTH4L020N090SC1 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	118 A
Rds On - Résistance drain-source:	28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	196 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	484 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	49 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	28 ns
Série:	NTH4L020N090SC1
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	54 ns

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Fiche technique

NTH4L020N090SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L020N090SC1

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