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NSS60200LT1G

Name: onsemi NSS60200LT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS60200LT1G
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NSS60200LT1G

N° de fab. :

NSS60200LT1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A

Fiche technique:

NSS60200LT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,482 €	0,48 €
	0,299 €	2,99 €
	0,191 €	19,10 €
	0,146 €	73,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,109 €	327,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	2 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	60 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	180 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	540 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	NSS60200LT1G
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	150
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	8 mg

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Fiche technique

NSS60200LT1G Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge

Les transistors Onsemi e2PowerEdge à basse VCE_(sat) sont des dispositifs miniatures et montés en surface à ultra-faible tension de saturation (VCE_(sat)) et à capacité de gain élevé en courant. Ils sont conçus pour des applications de commutation à haute vitesse et à basse tension, où une régulation efficace et abordable de la consommation d'énergie s'avère essentielle. Les applications standard sont des convertisseurs CC-CC et la gestion d’alimentation électrique dans des produits portables et alimentés par batteries tels que des téléphones cellulaires et sans fil, des PDA, des ordinateurs, des imprimantes, des appareils photo numériques et des lecteurs MP3. D'autres applications sont des commandes de moteur sous basse tension dans les produits pour supports de mémoires de grandes capacités tels que des lecteurs de disques et de bandes. Ils peuvent servir au déploiement de coussins gonflables et à des grappes d’instruments dans l’industrie automobile. Le gain de courant élevé permet le pilotage direct de dispositifs e2PowerEdge onsemi à partir de sorties de commande PMU ’s, et le gain linéaire (bêta) en fait des composants idéaux dans des amplificateurs analogiques.