N01S830BAT22I

onsemi
863-N01S830BAT22I
N01S830BAT22I

Fab. :

Description :
SRAM 1MB 3V BATT BU FUNCT

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 1.535

Stock:
1.535 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
21 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,41 € 3,41 €
3,29 € 32,90 €
3,10 € 62,00 €
2,86 € 143,00 €
2,80 € 280,00 €
2,69 € 538,00 €
2,67 € 1.335,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
N01S830BAT22IT
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
4,62 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
1 Mbit
128 k x 8
25 ns
20 MHz
SPI
5.5 V
2.5 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSSOP-8
Tube
Marque: onsemi
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: N01S830
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Synchronous
Poids de l''unité: 400 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

N01S8 1Mb Ultra-Low Power Serial SRAM

onsemi N01S8x 1Mb Ultra-Low Power Serial SRAM offers high-speed performance and low power. onsemi N01S8x SRAM operates with a single chip select (CS) input and uses a simple SPI protocol. In SPI mode, a single data-in (SI) and data-out (SO) line is used along with the clock (SCK) to access data within these devices. In DUAL mode, two multiplexed data-in/data-out (SIO0-SIO1) lines are used. In QUAD mode, four multiplexed data-in/data-out (SIO0-SIO3) lines are used with the clock to access the memory. N01S8x SRAM operates over a wide temperature range of -40°C to +85°C and is offered in a 8-lead TSSOP package.

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