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MPS651G

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N° Mouser :

863-MPS651G

N° de fab. :

MPS651G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 2A 80V NPN

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

MPS651G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	2 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	60 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	500 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Produit gain-bande passante fT :	75 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MPS651
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	2 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	75
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	229 mg

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Fiche technique

MPS651G Fiche technique

EOL

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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