MMSF3P02HDR2

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N° Mouser :

863-MMSF3P02HDR2

N° de fab. :

MMSF3P02HDR2

Fab. :

onsemi

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	5.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	75 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	84 ns, 97 ns
Transconductance directe - min.:	7.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	135 ns, 40 ns
Série:	MMSF3P02HD
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	54 ns, 110 ns
Délai d'activation standard:	25 ns, 16 ns
Poids de l''unité:	74 mg