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MBT3906DW1T1

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N° Mouser :

863-MBT3906DW1T1

N° de fab. :

MBT3906DW1T1

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 200mA 40V Dual PNP

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

MBT3906DW1T1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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onsemi

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Description :

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Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-6
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	200 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	40 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	40 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	400 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	150 mW
Produit gain-bande passante fT :	250 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MBT3906DW1
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	- 200 mA
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	60
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	28 mg