HGTP10N120BN

512-HGTP10N120BN
HGTP10N120BN

Fab. :

Description :
IGBTs 35A 1200V N-Ch

Cycle de vie:
Obsolète
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :
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RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.45 V
- 20 V, 20 V
35 A
298 W
- 55 C
+ 150 C
HGTP10N120BN
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.: 35 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 800
Sous-catégorie: IGBTs
Raccourcis pour l'article N°: HGTP10N120BN_NL
Poids de l''unité: 1,800 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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