FGH75T65SHDTL4

onsemi
512-FGH75T65SHDTL4
FGH75T65SHDTL4

Fab. :

Description :
IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan

Modèle de ECAO:
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En stock: 502

Stock:
502 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,36 € 6,36 €
3,67 € 36,70 €
2,95 € 295,00 €
2,84 € 1.278,00 €
2,77 € 2.493,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
150 A
455 W
- 55 C
+ 175 C
FGH75T65SHDTL4
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.: 150 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 400 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 6,289 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

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