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FFSM1065B

Name: onsemi FFSM1065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSM1065B
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

863-FFSM1065B

N° de fab. :

FFSM1065B

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC SBD GEN1.5 650V 10A P

Fiche technique:

FFSM1065B Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	2,98 €	2,98 €
	2,15 €	21,50 €
	1,72 €	172,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,46 €	1.460,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,46 €	4.380,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
If - Courant direct:	10 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.7 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	42 A
Ir - Courant inverse:	40 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSM1065B
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC

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Fiche technique

FFSM1065B Fiche technique

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2 d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2 d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.