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FCP067N65S3

Name: onsemi FCP067N65S3
Brand: onsemi
SKU: 512-FCP067N65S3
Price: 5.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

512-FCP067N65S3

N° de fab. :

FCP067N65S3

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET

Fiche technique:

FCP067N65S3 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	44 A
Rds On - Résistance drain-source:	67 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	78 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	312 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperFET III
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	52 ns
Série:	FCP067N65S3
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	89 ns
Délai d'activation standard:	26 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

FCP067N65S3 Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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