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AFGY120T65SPD

Name: onsemi AFGY120T65SPD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGY120T65SPD
Price: 12.15 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

863-AFGY120T65SPD

N° de fab. :

AFGY120T65SPD

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE

Fiche technique:

AFGY120T65SPD Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	160 A
Pd - Dissipation d’énergie :	714 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	AFGY120T65SPD
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

AFGY120T65SPD Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée AFGY100/AFGY120T65SPD

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée AFGY100T65SPD et AFGY120T65SPD onsemi sont certifiés AEC-Q101 et offrent de très faibles pertes de conduction et de commutation. Ces caractéristiques favorisent un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications, une fiabilité transitoire robuste et une faible EMI.