4N38VM

onsemi
512-4N38VM
4N38VM

Fab. :

Description :
Optocoupleurs de sortie de transistor 6PW HVCEO TR DIP VDE

Modèle de ECAO:
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En stock: 2.020

Stock:
2.020 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
0,611 € 0,61 €
0,426 € 4,26 €
0,303 € 30,30 €
0,248 € 124,00 €
0,23 € 230,00 €
0,179 € 895,00 €
0,175 € 1.750,00 €
0,169 € 4.225,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Optocoupleurs de sortie de transistor
RoHS:  
Through Hole
DIP-6
1 Channel
4170 Vrms
NPN Phototransistor
20 %
80 mA
1.5 V
80 V
100 mA
1 V
6 V
420 mW
- 40 C
+ 100 C
4N38M
Bulk
Marque: onsemi
Configuration: 1 Channel
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TH
Coefficient de transfert de courant: 20 %
Type de produit: Transistor Output Optocouplers
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Optocouplers
Poids de l''unité: 400 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541490000
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490020
USHTS:
8541498000
KRHTS:
8541409029
ECCN:
EAR99

4N38xM 6-Pin DIP Phototransistor Optocouplers

onsemi / Fairchild 4N38xM 6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers are designed as phototransistor-type optically coupled optoisolators. The 4N38xM series features a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The devices have a UL 1577 safety and regulatory approval of 4,170VAC RMS for 1 minute and are DIN-EN/IEC60747-5-5 certified at 850V peak working insulation voltage.