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C2M0080120D

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N° Mouser :

941-C2M0080120D

N° de fab. :

C2M0080120D

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

C2M0080120D Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Wolfspeed

N° de fab. :

C4D20120A

Description :

Diodes Schottky SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	31.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	98 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	71 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	208 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	3.9 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	Power MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	34 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type:	Silicon Carbide Power MOSFET
Délai de désactivation type:	23.2 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	6 g