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IRFZ48RSPBF

Name: Vishay IRFZ48RSPBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFZ48RSPBF
Price: 3.93 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

844-IRFZ48RSPBF

N° de fab. :

IRFZ48RSPBF

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-Chan 60V 50 Amp

Fiche technique:

IRFZ48RSPBF Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,93 €	3,93 €
	2,61 €	26,10 €
	1,85 €	185,00 €
	1,52 €	760,00 €
	1,46 €	1.460,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	110 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Vishay Semiconductors
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IRFZ
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	4 g