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IRFR9014PBF

Name: Vishay IRFR9014PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR9014PBF
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

844-IRFR9014PBF

N° de fab. :

IRFR9014PBF

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET TO252 P-CH 60V 5.1A

Fiche technique:

IRFR9014PBF Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,29 €	1,29 €
	0,44 €	4,40 €
	0,406 €	40,60 €
	0,372 €	186,00 €
	0,348 €	348,00 €
	0,34 €	1.020,00 €
	0,308 €	1.848,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IRFR9014TRLPBF

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,78 €

Min.:

Fab. Numéro de référence:

IRFR9014TRPBF

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,96 €

Min.:

Fab. Numéro de référence:

IRFR9014PBF-BE3

Conditionnement:

Bulk

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,73 €

Min.:

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Vishay Semiconductors

N° de fab. :

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MOSFET TO252 P-CH 60V 5.1A

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	5.1 A
Rds On - Résistance drain-source:	500 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	1.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	63 ns
Série:	IRFR/U
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	9.6 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3