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IRFR220PBF

Name: Vishay IRFR220PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR220PBF
Price: 0.67 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

844-IRFR220PBF

N° de fab. :

IRFR220PBF

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Fiche technique:

IRFR220PBF Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,671 €	0,67 €
	0,421 €	4,21 €
	0,384 €	38,40 €
	0,35 €	175,00 €
	0,293 €	293,00 €
	0,287 €	861,00 €
	0,283 €	1.698,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IRFR220TRPBF

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,10 €

Min.:

Fab. Numéro de référence:

IRFR220TRRPBF

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,10 €

Min.:

Fab. Numéro de référence:

IRFR220PBF-BE3

Conditionnement:

Bulk

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,81 €

Min.:

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N° de fab. :

IRFR220PBF-BE3

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MOSFET TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	4.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	800 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	14 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	42 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	1.7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	IRFR/U
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	7.2 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3