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TK8Q60W,S1VQ

Name: Toshiba TK8Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8Q60WS1VQ
Price: 2.95 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-TK8Q60WS1VQ

N° de fab. :

TK8Q60W,S1VQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

Fiche technique:

TK8Q60W,S1VQ Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	420 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.7 V
Qg - Charge de grille:	18.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	80 W
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	TK8Q60W
Nombre de pièces de l'usine:	75
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Poids de l''unité:	340 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.