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TK3R1P04PL,RQ

Name: Toshiba TK3R1P04PL,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK3R1P04PLRQ
Price: 1.71 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK3R1P04PLRQ

N° de fab. :

TK3R1P04PL,RQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

Fiche technique:

TK3R1P04PL,RQ Fiche technique (PDF)

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	0,735 €	73,50 €
	0,584 €	292,00 €
	0,537 €	537,00 €
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	0,468 €	1.170,00 €
	0,465 €	2.325,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	130 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.4 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	87 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	U-MOSIX-H
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	19 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	TK3R1P04PL
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	72 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.
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