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TK31V60W5,LVQ

Name: Toshiba TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK31V60W5LVQ
Price: 5.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK31V60W5LVQ

N° de fab. :

TK31V60W5,LVQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

Fiche technique:

TK31V60W5,LVQ Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,01 €	5,01 €
	3,36 €	33,60 €
	2,55 €	255,00 €
	2,54 €	1.270,00 €
	2,51 €	2.510,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	2,15 €	5.375,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN8x8-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	30.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	87 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	240 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	8.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	80 ns
Série:	TK31V60
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	165 ns
Délai d'activation standard:	120 ns
Poids de l''unité:	175 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.