TK31N60W5,S1VF
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Fab. :
Description :
MOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
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Prix (EUR)
| Qté. | Prix unitaire |
Ext. Prix
|
|---|---|---|
| 8,08 € | 8,08 € | |
| 4,69 € | 46,90 € | |
| 4,03 € | 483,60 € | |
| 3,94 € | 2.009,40 € |
Fiche technique
Application Notes
- IGBT for Voltage-Resonant Inverters: GTN20N135SRA
- IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Luxembourg
