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TK31J60W5,S1VQ

Name: Toshiba TK31J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK31J60W5S1VQ
Price: 8.65 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-TK31J60W5S1VQ

N° de fab. :

TK31J60W5,S1VQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

Fiche technique:

TK31J60W5,S1VQ Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3PN-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	30.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	73 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.7 V
Qg - Charge de grille:	86 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	230 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	8.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	32 ns
Série:	TK31J60W5
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	165 ns
Délai d'activation standard:	70 ns
Poids de l''unité:	4,600 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.