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TK16V60W5,LVQ

Name: Toshiba TK16V60W5,LVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16V60W5LVQ
Price: 3.87 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK16V60W5LVQ

N° de fab. :

TK16V60W5,LVQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

Fiche technique:

TK16V60W5,LVQ Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,87 €	3,87 €
	2,99 €	29,90 €
	2,14 €	214,00 €
	2,05 €	1.025,00 €
	1,86 €	1.860,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,74 €	4.350,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN8x8-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	15.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	245 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Série:	TK16G60W
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	75 ns
Poids de l''unité:	175 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W

Les MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W de Toshiba présentent la conception de puce de génération DTMOSIV et sont proposés en différentes variantes. Les MOSFET à canal N Si disposent d'une faible résistance drain-source à l'état passant et d'un temps de récupération inverse rapide. Ces MOSFET peuvent contrôler facilement la commutation de grille. Les MOSFET TK16x60W sont disponibles en différentes dimensions et sont fournis en boîtiers différents DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 et TO-220SIS. Ces MOSFET à canal N Si TK16x60W sont utilisés dans les régulateurs de tension de commutation.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.