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TK16G60W,RVQ

Name: Toshiba TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16G60WRVQ
Price: 3.04 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-TK16G60WRVQ

N° de fab. :

TK16G60W,RVQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

Fiche technique:

TK16G60W,RVQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-262-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	15.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	190 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.7 V
Qg - Charge de grille:	38 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	130 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Reel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	TK16G60W
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Poids de l''unité:	2,387 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W

Les MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W de Toshiba présentent la conception de puce de génération DTMOSIV et sont proposés en différentes variantes. Les MOSFET à canal N Si disposent d'une faible résistance drain-source à l'état passant et d'un temps de récupération inverse rapide. Ces MOSFET peuvent contrôler facilement la commutation de grille. Les MOSFET TK16x60W sont disponibles en différentes dimensions et sont fournis en boîtiers différents DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 et TO-220SIS. Ces MOSFET à canal N Si TK16x60W sont utilisés dans les régulateurs de tension de commutation.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.