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TK160F10N1L,LQ

Name: Toshiba TK160F10N1L,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK160F10N1LLQ
Price: 2.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK160F10N1LLQ

N° de fab. :

TK160F10N1L,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET

Fiche technique:

TK160F10N1L,LQ Fiche technique (PDF)

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	2,32 €	2,32 €
	1,87 €	18,70 €
	1,37 €	137,00 €
	1,34 €	670,00 €
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	1,14 €	1.140,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-220SMW-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	160 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	122 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	U-MOSVIII-H
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	40 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	TK160F10N1L
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	140 ns
Délai d'activation standard:	42 ns
Poids de l''unité:	1,800 g

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
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