Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

TK14V65W,LQ

Name: Toshiba TK14V65W,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK14V65WLQ
Price: 1.74 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-TK14V65WLQ

N° de fab. :

TK14V65W,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ

Fiche technique:

TK14V65W,LQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Toshiba TK14V65W,LQ

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 2500 Multiples : 2500

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,74 €	4.350,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN8x8-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	13.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Reel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	TK14V65W
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	60 ns
Poids de l''unité:	175 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

TK14V65W,LQ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.