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TK099N60Z1,S1F

Name: Toshiba TK099N60Z1,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK099N60Z1S1F
Price: 4.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK099N60Z1S1F

N° de fab. :

TK099N60Z1,S1F

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

TK099N60Z1,S1F Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	99 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	176 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	37 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	82 ns
Délai d'activation standard:	63 ns

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Fiche technique

TK099N60Z1,S1F Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N en silicium TKx

Les MOSFET à canal N en silicium TKx de Toshiba sont disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI et affichent des caractéristiques de performance exceptionnelles. Ces MOSFET sont conçus avec des temps de récupération inverse rapides qui améliorent l’efficacité dans des applications de commutation à haute vitesse en réduisant le délai entre les phases d’arrêt et d'enclenchement. La faible résistance drain-source à l'état passant [RDS_(on)] contribue à réduire les pertes de puissance et à améliorer lagestion thermique , ce qui les rend idéaux pour les applications nécessitant une forte capacité de conduction avec une faible dissipation énergétique.